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设备信号电缆MHYA

描述:单根单色的就是220v的。三相电在电源端(或称变压器)和负载端均有星形和三角形两种接法。三相电的星形接法是将各相电源或负载的一端都接在一点上,而它们的另一端作为引出线,分别为三相电的三个相线。对于星形接法,可以将中点(称为中性点)引出作为中性线,形成三相四线制。也可不引出,形成三相三线制。当然,无论是否有中性线,都可以添加地线,分别成为三相五线制或三相四线制。三相电的三角形接法是将各相电源或负

更新时间:2021-09-27
产品型号:
厂商性质:生产厂家
详情介绍
品牌其他品牌加工定制
护套材质PVC线芯材质紫铜线
材料形状圆线芯数4
拉伸强度60电线最大外径18mm
绝缘厚度1mm产品认证ccc

单根单色的就是220v的。三相电在电源端(或称变压器)和负载端均有星形和三角形两种接法。三相电的星形接法是将各相电源或负载的一端都接在一点上,而它们的另一端作为引出线,分别为三相电的三个相线。对于星形接法,可以将中点(称为中性点)引出作为中性线,形成三相四线制。也可不引出,形成三相三线制。当然,无论是否有中性线,都可以添加地线,分别成为三相五线制或三相四线制。三相电的三角形接法是将各相电源或负载依次首尾相连,并将每个相连的点引出,作为三相电的三个相线。

设备信号电缆MHYA产品采用标准:
MT818.14-1999

   MHYV 1×2 2×2 1×4 5×2) ×7/0.28 煤矿用聚乙烯绝缘聚氯乙烯护套矿用通信电缆用于平巷斜巷及机电硐室

    MHJYV 4/0.28铜线+3/0.28钢线 1×2 2×2 煤矿用加强线芯聚乙烯绝缘聚氯乙烯护套矿用通信电缆用于机械损伤较高平巷和斜巷

    MHYAV 1/0.8 20×2 30×2 50×2) ×0.8 煤矿用聚乙烯绝缘铝聚乙烯粘结层聚氯乙烯护套矿用通信电缆用于较潮湿的斜井和平巷

    MHYA32 30×2 50×2 80×2) ×0.8煤矿用聚乙烯绝缘铝聚乙烯粘结层钢丝铠装聚氯乙烯护套矿用通信电缆用于竖井和斜井
设备信号电缆MHYA设备信号电缆MHYA设备信号电缆MHYA设备信号电缆MHYA

    命名代号

    煤矿用通信电缆 ................................... MH

    铜质线芯.............................................. 省略

    聚乙烯绝缘 ........................................... Y

    铝一聚乙烯粘结护套.................................... A

    聚乙烯内护套 ......................................... 省略

    编织铠装.............................................. B

    聚氯乙烯护套 ........................................ V

   细圆钢丝铠装、聚氯乙烯外被层..........................32

设备信号电缆MHYA表示方法

设备信号电缆MHYA 型号、规格表示。如:

    a)具有30个对绞线芯的煤矿用聚乙烯绝缘铝一聚乙烯粘结护层钢丝铠装聚氯乙烯护套矿用通信电缆    表示为: MHYA32 30×2

    b)具有1个星绞线芯的煤矿用聚乙烯绝缘聚氯乙烯护套矿用通信电缆,表示为:MHYV 1×4

    矿用通信电缆主要技术性能及指标

    20℃时导体直流电阻 Ω/km 7/0.28 ≤45 7/0.28(3钢4铜)≤73 1/0.8≤36.7

    固有衰减(800~1000HZ) dB/km ≤1.1 ≤1.3 ≤0.95

    20℃时电缆绝缘线芯绝缘电阻 MΩ.km ≥3000

    线对工作电容(800~1000HZ) uF/km ≤0.06

    近端串音衰减(800~1000HZ) dB/500m ≥70

    电感(800~1000HZ) uH/km ≤800

    耐交流工频电压 1.5KV/1min通过

    直流电阻差 ≤环阻的2%

   的使用特性

    导体的*允许工作温度-40~+50℃;

    平均zui大相对湿度为≤95%(+25℃时)

    允许附设与安装的温度应不大于-10℃

   zui小弯曲半径:MHYV、MHJYV型电缆为电缆外径的10倍,其它型号的电缆为外径的15倍。
场效应管通常分为两类:JFET和MOSFET。这两类场效应管都是压控型的器件。场效应管有三个电极,分别为:栅极漏极D和源极S。目前MOSFET应用广泛,JFET相对较少。MOSFET可以分为NMOS和PMOS,下图是PMOS的结构图、NMOS和MOSFET的电路符号图。PMOS的结构是这样的:在N型硅衬底上做了两个P型半导体的P+区,这两个区分别叫做源极S和漏极D,在N型半导体的绝缘层上引出栅极G。

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